Sättigungsstrom einer Si-Diode < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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(Frage) beantwortet  | | Datum: | 00:58 Fr 29.07.2016 | | Autor: | Calculu |
| Aufgabe | An eine Si-Diode wird bei Raumtemperatur Spannung angelegt. Die Leitungsbandkante [mm] W_c [/mm] verringert sich im p- und n-Bahngebiet um 0,7eV. Es fließt ein Strom von 20mA.
Berechne den Sättigungstrom [mm] I_s.
[/mm]
(Rekombination sei vernachlässigbar.) |
Ich würde mit dieser Gleichung arbeiten:
[mm] I_{D} [/mm] = [mm] I_S [/mm] * ( exp( [mm] U_D [/mm] / [mm] U_T [/mm] ) - 1)
[mm] I_{D} [/mm] = 20mA
[mm] U_{T} [/mm] = 26mV
Aber wie bestimme ich [mm] U_D [/mm] ?
Über einen Tipp würde ich mir sehr freuen!
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(Antwort) fertig  | | Datum: | 09:14 Sa 30.07.2016 | | Autor: | Infinit |
Hallo Calculu,
die Diffusionsspannung bei Silizium beträgt 0,7 V.
Viele Grüße,
Infinit
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(Mitteilung) Reaktion unnötig  | | Datum: | 22:32 Mo 01.08.2016 | | Autor: | Calculu |
Super, Danke!
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