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Schaltungen und Entwurf: Verständnisfragen
Status: (Frage) reagiert/warte auf Reaktion Status 
Datum: 16:46 Do 23.08.2007
Autor: Herby

Hi Leute,

es haben sich in den letzten Wochen so ein paar Unklarheiten angehäuft, bei denen ich nicht weiterkomme [kopfkratz3]


Vielleicht könnt ihr ja mit der einen oder anderen Frage etwas anfangen und mir erläutern, was sich dahinter verbirgt:


allg. Elektrotechnik

a. Warum weisen Sperrschicht-FETs gegenüber Isolierschicht-FETs ungünstigere Schalteigenschaften auf?



Schaltungsentwurf


b. Hochfrequente Schaltungen: Bei hohen Frequenzen erhalten alle parasitären Induktivitäten und Kapazitäten besondere Bedeutung.

Was für eine Bedeutung und wodurch entsteht sie?


c. Der Haupt-Power-Eingang ist über Filterkondensatoren anzuschließen.

meine Begründung: Um das Eingangssignal zu glätten und Spannungsspitzen zu eliminieren. Stimmt das? So richtig erklären (bei einer Rückfrage) könnte ich es allerdings nicht :-)


d. Backannotation nutzen.

Was bedeutet das?


e. Grid und Grid-Zentrierung der Leiterbahnen abschließend prüfen.

Was bedeutet das?


f. Was sind Vias?


g. Alle Polygonflächen müssen auf ein Potenzial gelegt oder beseitigt werden.

Warum?


Vielen Dank

lg Herby
        
Bezug
Schaltungen und Entwurf: Teil a)
Status: (Antwort) fertig Status 
Datum: 11:24 Sa 25.08.2007
Autor: Infinit

Hallo Herby,
bei einem Isolierschicht-FET ist der Transisitor bereits komplett gesperrt bei einer Gate-Source-Spannung von 0 V, bei einem Sperrschicht-FET gilt dies nicht, hier muss man eine negative Spannung anlegen, um den Stromfluss zu unterbinden. Demzufolge ist für einen sauberen Schaltvorgang die Spannungsdifferenz der Gate-Source-Spannung bei einem Isolierschicht-FET geringer als bei einem Sperrschicht-FET. Da das Umschalten ja auch Zeit benötigt, geht dies bei einem Isolierschicht-FET schneller als bei einem Sperrschicht-FET und ich brauche für den gesperrten Zustand keine Steuerleistung aufzuwenden (Gate-Source-Spannung = 0).
Viele Grüße,
Inifnit
Bezug
                
Bezug
Schaltungen und Entwurf: Mitteilung
Status: (Mitteilung) Reaktion unnötig Status 
Datum: 13:27 Di 28.08.2007
Autor: Herby

Hallo Infinfit,

> Hallo Herby,
>  bei einem Isolierschicht-FET ist der Transisitor bereits
> komplett gesperrt bei einer Gate-Source-Spannung von 0 V,
> bei einem Sperrschicht-FET gilt dies nicht, hier muss man
> eine negative Spannung anlegen, um den Stromfluss zu
> unterbinden. Demzufolge ist für einen sauberen
> Schaltvorgang die Spannungsdifferenz der
> Gate-Source-Spannung bei einem Isolierschicht-FET geringer
> als bei einem Sperrschicht-FET. Da das Umschalten ja auch
> Zeit benötigt, geht dies bei einem Isolierschicht-FET
> schneller als bei einem Sperrschicht-FET und ich brauche
> für den gesperrten Zustand keine Steuerleistung aufzuwenden
> (Gate-Source-Spannung = 0).

super, danke dir :-)


Liebe Grüße
Herby
Bezug
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