p-Dotierung wird n-Leitend? < Physik < Naturwiss. < Vorhilfe
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(Frage) beantwortet | Datum: | 20:27 Fr 24.06.2016 | Autor: | fse |
Aufgabe | Hallo zusammen,
kann mir jemand sagen wann bzw. wie der Vorgang heißt wenn ein P Dotiertes Material n-leitend wird und ein n-Dotiertes Material p-leitend wird? Geht das überhaupt? |
Dachte bis jetzt dass dies gar nicht sein kann....aber muss anscheinend doch möglich sein.
Grüße fse
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(Antwort) fertig | Datum: | 09:23 Sa 25.06.2016 | Autor: | Infinit |
Hallo fse,
das sollte doch gehen,ist aber auch eine Frage der Nomenklatur und der benutzten Begriffe.
Aus Sicht der Halbleitertechnik kann man es wohl kurz so beschreiben: Lege ich an ein p-dotiertes Material (indem sich also Löcher befinden) eine Spannung an, die dafür sorgt, dass dieser Bereich mit Elektronen überflutet wird, so wird ein Teil dieser Elektronen mit den Löchern rekombinieren, das Material wird zu einem neutralen Leiter, weitere Elektronen führen zu einem Elektronenfluß. Ich persönlich würde solch ein Gebiet dann allerdings nicht als n-leitend bezeichnen, denn dies ist keine Eigenschaft des Materials, sondern hängt von der angelegten Spannung ab. Eine entsprechende Argumentation lässt sich auch für ein p-leitendes Gebiet durchführen. Der Vorgang als solcher kann bei FETs auftreten und wird dort als Influenz bezeichnet.
Viele Grüße,
Infinit
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(Frage) beantwortet | Datum: | 13:09 Sa 25.06.2016 | Autor: | fse |
Hallo Infinit,
Der Hinweis auf den FET hat mich weiter gebracht! Und zwar ist es wohl die Inversion die in meinem Fall gesucht war!(beruht wohl auf der Influenz) Danke!
https://de.wikipedia.org/wiki/Inversion_%28Halbleiter%29
Grüße fse
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(Antwort) fertig | Datum: | 13:33 Sa 25.06.2016 | Autor: | Infinit |
Hallo fse,
das ist ja prima, dann ist die Sache wohl damit erst mal gelöst.
Viele Grüße und ein schönes Wochenende,
Infinit
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Hallo!
Etwas aus dem Zusammenhang, und damit vermutlich nicht ganz das, was du meinst, aber dennoch artverwandt, und vielleicht interessant:
Massive Strahlenbelastung kann die Dotierung eines Halbleiters zunächst herabsetzen, und dann auch umkehren.
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